现已提供样品，为AI数据中心、机器东说念主及动力基础阵势垄断带来更高功率密度与能效

纲要

安森好意思（onsemi）文书推出全新GaNEXUS™氮化镓（GaN）功率家具组合。该系列专为在东说念主工智能（AI）数据中心、工业自动化、机器东说念主及动力基础阵势等垄断中杀青更高能效、更高功率密度及更优热性能而猜度打算。首批家具包括粉饰40V至650V电压边界的GaNEXUS FET样品，其中包含集成保护功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，可简化系统集成并进步举座可靠性。

新闻亮点

安森好意思的GaNEXUS家具组合为下一代电源架构带来更快开关速率、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能

粉饰40V至650V的GaNEXUS FET及集成保护功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，现已开动提供样品

沟通安森好意思集成感知、法律泄露、保护和电源管制功能的Treo平台，GaNEXUS可杀青更智能、更可靠、更适宜的系统级电源措置决策

沟通安森好意思的硅、EliteSiC与GaNEXUS期间，为客户优化所有电力传输链的能效、热性能、系统尺寸及总资本提供更大天真性

安森好意思推出GaNEXUS™氮化镓功率家具组合，首批样品包括粉饰40V至650V电压边界的GaNEXUS FET，以及650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件。该家具组合乎用于对电力需求高的垄断场景，包括AI数据中心供电、48V系统、机器东说念主与工业自动化，以及动力基础阵势等。

GaNEXUS的加入推广了安森好意思智能电源家具组合的才能，简略为不同垄断、电压域和性能条目提供优化的电源措置决策。GaNEXUS、硅和EliteSiC期间组成了安森好意思世俗的电源家具组合，为客户在所有电力传输架构中优化性能、能效、热性能及系统总资本提供更大天真性。

迫切真义

跟着AI基础阵势、电气化、工业自动化及动力系统的快速发展，对更高能效和更紧凑电源架构的需求捏续增长，猜度打算东说念主员在能耗、热管制及系统尺寸方面面对日益严峻的挑战。

与传统硅基决策比拟，GaNEXUS通过杀青更快开关速率、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能，有用搪塞上述挑战。这些上风匡助客户简略在AI数据中心供电、电动汽车充电、机器东说念主及工业电源系统等垄断猜度打算中，缩小磁性元件及散热系统尺寸，同期进步举座系统能效与反应速率，并缩短系统资本。

安森好意思氮化镓奇迹部副总裁Antoine Jalabert示意：“咱们的GaNEXUS家具组合正在激动电源系统猜度打算迈向全新架构。跟着客户不休追求在更小空间内杀青更大功率，开云kaiyun(中国)GaNEXUS为工程师提供了更大的天真性，以冲破传统电源架构的法律泄露。”

期间杀青

GaNEXUS旨在优化当代电源系统中的电能转化与电源管制。将GaNEXUS与安森好意思的Treo平台（集成感知、法律泄露、保护及电源管制）互助使用时，可提供齐备的系统级电源措置决策，杀青更智能、更可靠、更适宜的系统阐扬。这种系统级决策有助于客户简化所有电力传输链的猜度打算复杂性，加速配置与认证速率，缩短散热与冷却需求，并优化性能。

在包括AI办事器48V中间母线转化器（IBC）、电板备用单位（BBU）及电机驱动等中低压系统中，GaNEXUS可杀青：

磁性元件尺寸缩小约30%–60%

功率密度进步约1.5–2倍

能效进步约0.5%–2%（取决于拓扑结构）

缩短开关损耗，改善热性能与法律泄露肃穆性

在AI电源机架、高压DC-DC转化、PFC及LLC功率级等高压垄断中，GaNEXUS可杀青：

在高频AC-DC与谐振级中，磁性元件尺寸最多可缩减约60%

在PFC、LLC及高压DC-DC架构中，功率密度进步约1.5–2倍

能效进步约0.5%–1%，在边界化部署时显耀优化热性能并改善运营资本

更低损耗可消弱紧凑型高功率系统中的热应力

GaNEXUS Smart缩短系统风险，简化功率级猜度打算，从而加速认证速率并进步可靠性

GaNEXUS器件接受增强散热的封装，具备行业法式的引脚布局，撑捏双源供货，举例TOLL底部散热、TOLT顶部散热，以及3.3mm×3.3mm和5mm×6mm的双面散热封装。

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